製品を通じた環境貢献

キオクシアグループが提供するフラッシュメモリ・SSD製品は、多種多様なアプリケーションに組み込まれ、社会で活用されています。当社グループは、製品製造時における製品の容量当たりのCO2排出量削減や、製品使用時のエネルギー消費効率に貢献する製品の提供を含め、製品ライフサイクルのあらゆるステージで環境負荷低減に努めています。

近年、AIの普及やデータセンターの増設、自動運転の技術革新が加速する中で、フラッシュメモリ・SSD製品の大容量化および高速化へのニーズがさらに高まっています。当社グループはフラッシュメモリの高集積技術開発による大容量化を推進することにより、製品製造時における容量当たりのCO2排出量削減に取り組んでいます。具体的には、製品製造時に使用する電力量や材料を製品の容量当たりで低減しています。また、製品使用時には1GB（ギガバイト）データ処理当たりのエネルギー消費効率を向上させています。
一方、AIの普及により、今後は従来よりも高速・大容量のフラッシュメモリやSSDへの需要増加が見込まれることから、環境面ではこれらの需要に伴う電力消費の増加が懸念されています。そのため、エネルギー消費効率の高い大容量フラッシュメモリや高スループット（単位時間当たりのデータ処理量が大きい）SSDのニーズが幅広い分野でますます拡大すると想定しています。
さらに、当社グループは、製品のライフサイクルにおける環境負荷を把握するため、製品に対してLCA（Life Cycle Assessment）*手法によるCO2排出量評価を行っており、2024年からDNVによる第三者検証を取得しています。今後は製品LCA手法によるCO2排出量算定の対象製品数を拡大していく予定です。

  • Life Cycle Assessment（ライフサイクルアセスメント）：製品・サービスのライフサイクル全体（原材料調達・製造・輸送・使用・廃棄）またはその特定段階における環境負荷を定量的に評価する手法
DNVによる検証書

また、研究開発部門では、使用済みSSDのリユースを目的に、NANDの性能を回復させる技術の検討を進めています。

当社グループは低炭素社会の実現に貢献するため、今後も技術開発によるエネルギー消費効率の向上と大容量化を重要課題として取り組んでいきます。 

キオクシアグループ製品の環境貢献分野

製品のエネルギー消費効率向上の目標

キオクシアグループは製品のエネルギー消費効率のさらなる向上を進めています。具体的には、メモリ・SSD製品の1GBデータ処理当たりのエネルギー消費量を2025年度までに2017年度比で50％削減するという高い目標を掲げています。
2024年度は、NAND型フラッシュメモリの高集積化および高速化、自社における最適なコントローラーの設計開発により、1GBデータ処理当たりのエネルギー消費量を2017年度比で約38％削減しました。

目標：製品のエネルギー消費効率の向上

エネルギー効率の改善目標：1GB処理当たりのエネルギー消費量を2025年度までに50％削減（2017年度比） エネルギー効率の改善目標：1GB処理当たりのエネルギー消費量を2025年度までに50％削減（2017年度比）

製品使用時におけるエネルギー消費効率向上の事例

小型化と高性能化を両立したUFS 4.0フラッシュメモリ製品

キオクシア（株）は、パッケージサイズを小型化し、さらに、性能向上したUFS*1 4.0組み込み式フラッシュメモリ製品の量産を開始しました。本製品は、当社従来製品比*2でパッケージサイズを約18%縮小することで省資源化しており、デバイスの基板スペースの効率化と設計の柔軟性にも貢献します。

また、1GBデータ処理当たりのライト時エネルギー消費量（J / GB）は、約6%削減しています。さらに、読み書き性能を向上させることにより、データダウンロードの高速化・応答速度の短縮化を実現しました。これらの高性能化により、5G高速ネットワークに対応したハイエンド・スマートフォンを含むさまざまな次世代モバイル機器に適しており、256GB、512GB、1TBの3つの容量をサポートしています。

UFS 4.0フラッシュメモリ
パッケージサイズ
ライト時エネルギー消費量（J / GB）

製品の主な仕様：

  • 当社従来製品に比べて*3ライト・リード速度は、シーケンシャルライトが約15%、ランダムライトが約50%、ランダムリードが約30%それぞれ向上しています。
  • パッケージサイズは9mm×13mm、パッケージ厚は0.8mm（256GBおよび512GB）および0.9mm（1TB）で、従来のパッケージサイズ（11mm×13mm）と比較して約18%縮小しています。

本UFS 4.0対応製品は、キオクシアの3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」とコントローラーをJEDEC規格のパッケージに統合しています。UFS 4.0はMIPI M-PHY 5.0とUniPro 2.0に対応し、理論上、1レーン当たり最大23.2Gbps、デバイス当たり最大46.4Gbpsのインターフェース速度をサポートします。また、UFS 4.0は、UFS 3.1と下位互換性があります。

  • *1 UFS（Universal Flash Storage）：JEDECが規定する組み込み式フラッシュストレージの標準規格。シリアルインターフェースを採用し、全二重通信を用いているため、ホスト機器との間でのリード・ライトの同時動作が可能。
  • *2 当社の前世代UFS 4.0対応組み込み式フラッシュメモリの製品との比較。
  • *3 当社の前世代512GBの製品型番「THGJFLT2E46BATP」との比較。
  • （注）1. 本製品の表示は搭載されているフラッシュメモリに基づいており、実際に使用できるメモリ容量ではありません。メモリ容量の一部を管理領域などとして使用しているため、使用可能なメモリ容量（ユーザー領域）はそれぞれの製品仕様をご確認ください（メモリ容量は1GBを1,073,741,824バイトとして計算しています）。
  • （注）2. 1Gbpsを1,000,000,000ビット / 秒として計算しています。リードおよびライト性能はキオクシアの試験環境で特定の条件により得られた最良の値であり、ご使用機器での速度を保証するものではありません。リードおよびライト性能は使用する機器などの条件により異なります。
  • （注）3. 記載されている社名・製品・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。

クラウドおよびハイパースケールデータセンター向けPCIe® 5.0対応NVMe™ EDSFF E1.S SSD 「KIOXIA XD8シリーズ」

キオクシア（株）はPCIe® 5.0対応EDSFF（Enterprise and Datacenter Standard Form Factor）E1.S SSD XD8シリーズを製品化しました。急速な進化を遂げているクラウド向けに設計されたKIOXIA XD8シリーズは、優れた性能と熱管理を実現し、データセンターからの最新のニーズである、より高い性能、効率性、拡張性に対応しており、クラウド・プロバイダーやハイパースケーラーのインフラストラクチャーの最適化に貢献します。

また、キオクシアのE1.S SSDとして第3世代品であるKIOXIA XD8シリーズは、PCIe 5.0（32 GT / s x 4）およびNVMeTM 2.0仕様に準拠しています。7.68TB製品での1GBデータ処理当たりのエネルギー消費量（J / GB）は、シーケンシャルリード時に約20%削減しました*1。容量は1.92、3.84、7.68 TBをラインアップしています。

クラウドおよびハイパースケールデータセンター向けSSD 「KIOXIA XD8シリーズ」
リード時エネルギー消費量（J / GB）

KIOXIA XD8シリーズの主な特長：

  • NVM Express Management Interface （NVMe-MI™） v 1.2c を含む NVMe規格の追加サポート
  • シーケンシャルリード性能は最大12,500 メガバイト / 秒（前世代比73 %向上）*1・3、最大5,800 メガバイト / 秒のシーケンシャルライト性能（前世代比20 %の向上）*1・3
  • 2,300K IOPSのランダムリード性能（前世代比48 ％向上）、最大250 K IOPSのランダムライト性能（前世代比25 %向上）*1・2・3
  • 9.5mm、15mmのヒートシンクオプションを備えたEDSFF E1.S
  • 3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」と当社開発のコントローラーおよびファームウェアを採用
  • Non-SEDモデルに加えて、セキュリティーオプションとして、TCG Opal SSC SED対応モデルも提供
  • エンド・ツー・エンドのデータ保護、パワーロスプロテクション機能
  • *1 前世代品であるKIOXIA XD7Pシリーズ7.68 TB容量モデルとの比較によります。
  • *2 IOPS（Input Output Per Second）：1秒間に読み書きできる回数
  • *3 読み出しおよび書き込み速度は、ホストシステム、読み書き条件、ファイルサイズなどによって変化します。
  • （注）1. 記憶容量：1 MB（1メガバイト） ＝1,000,000（10の6乗）バイト、1 GB（1ギガバイト）＝1,000,000,000（10の9乗）バイト、1 TB（1テラバイト）＝1,000,000,000,000（10の12乗）バイトによる算出値です。しかし、1 GB=1,073,741,824（2の30乗）バイトによる算出値をドライブ容量として用いるコンピューターオペレーティングシステムでは、記載よりも少ない容量がドライブ容量として表示されます。ドライブ容量は、ファイルサイズ、フォーマット、セッティング、ソフトウェア、オペレーティングシステムおよびその他の要因で変わります。
  • （注）2. SED オプションモデルは TCG Opal SSCをサポートしていますが、TCG Opal SSCの一部機能は未サポートです。
  • （注）3. SED オプションモデルは、法規制などにより一部の国ではご利用いただけません。
  • （注）4. PCIeは、PCI-SIGの登録商標です。
  • （注）5. NVMeおよびNVMe-MIは、NVM Express, Inc.の米国またはその他の国における登録商標または商標です。
  • （注）6. その他記載されている社名・製品・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。