製品 / 研究・技術開発

世界初「フラッシュメモリ」の発明

1987年、NAND型フラッシュメモリが発明されました。
それから微細化技術を高め、高集積化を実現しました。
更に2007年、他社に先駆けて3次元積層構造を発表。積層化技術によって大容量化を行い、電子機器の進化や情報社会の進展をグローバルに支えてきました。

メモリが支えるこれからの社会

現代の文化的な日常生活を送る上でメモリは不可欠な存在です。さらに、人類が生成し蓄積する情報が増加の一途を辿る中で、オートモーティブ、エンターテインメント、医療・ヘルスケア、インダストリーなど様々な分野において、将来の情報社会をグローバルに支えているのがキオクシアの研究・技術開発です。

「メモリ新時代」をひらく、「記憶」技術の3つのアプローチ

メモリ

3次元フラッシュメモリのさらなる大容量化・高性能化のための研究・開発や、次世代メモリの研究・開発を進めています。

SSD・メモリカード

高性能なSSDやメモリカード製品の開発、セキュリティ技術の研究・開発を行っています。

システム

最先端のストレージシステムの研究・開発や、工場の生産システムに応用できるAI技術の研究・開発を行っています。

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企業や組織の垣根を越えた共同開発

当社は様々な企業とのオープンイノベーションを積極的に行っています。速やかな製品開発を実現するため、大学や装置・材料メーカとの共同開発にも取り組んでいます。
多様な専門性を持つエンジニアが、探求心と熱意をもって次の「記憶」技術を実現する研究・開発に挑んでいます。

世界最大のフラッシュメモリ工場

四日市工場（三重県）は、世界で消費されるフラッシュメモリの3分の1以上を生産しています（当社調べ、ウエスタンデジタル社（WDC）との共同設備投資分を含む）。66万㎡の敷地に5つの製造棟を配置し、技術開発部門とも緊密に連携しながら世界最先端のフラッシュメモリを生産しています。
2020年から北上工場（岩手県）が稼働し、拡大するフラッシュメモリの需要に対応しています。

キオクシアの研究・技術開発

キオクシアの研究・技術開発パンフレット (10.0MB)